使用苏黎世仪器的MFIA进行肖特基二极管在可变温度下的电容瞬态测量
https://www.zhinst.cn/china/cn/blogs/dlts-data-mfia-variable-temperature
可变温度下的电容瞬态
这篇博客文章介绍了肖特基二极管在70摄氏度到150摄氏度的可变温度下的电容瞬态数据。它展示了MFIA如何作为实验设置的一部分来获取DLTS数据。
图1:MFIA通过自制BNC电缆连接到温控载物台(Linkam HFS600)。右侧为温控器(Linkam T96)。
图1显示了MFIA通过自制BNC电缆连接到温控载物台(Linkam HFS600)的照片。在这种情况下,我们使用2端子配置,但可以通过添加两条额外的BNC电缆来对样品进行四点测量,从而实现4端子配置。
图3:LabOne DAQ模块的屏幕截图,显示温度从70℃上升到150℃的九条痕迹。对于所有温度,使用相同的测量参数以避免仪器测量带宽的任何影响。
图4:LabOne DAQ模块的屏幕截图,显示了如何使用数学工具测量瞬态的上升时间。在该温度(140℃)下,该瞬态的上升时间为0.3ms,而在70℃时为30ms(见图3,查看所有瞬态)。
MFIA加上温度阶段的组合带来了调整DLTS测量参数以适合您的样品的可能性。使用MFIA构建DLTS系统,使您可以灵活自由地选择测试信号的振幅、频率,甚至应力脉冲的模式。
非常感谢Dino Klotz获取这些数据,以及他在该领域的慷慨指导和专业知识。
[1] 深能级瞬态光谱:一种表征半导体陷阱的新方法。D.V.Lang,J.Appl。Phys。45, 3023–3032 (1974)