半导体宽禁带材料（SiC、GaN、Ga2O3）缺陷研究：DLTS提供了哪些独特视角？
随着半导体技术的不断进步，宽禁带半导体材料（SiC、GaN、Ga₂O₃）因其卓越的高压、高频、高温性能，成为功率电子和射频器件的关键材料。然而，这些材料中的深能级缺陷（Deep-Level Defects）对器件性能的影响至关重要，包括增加漏电流、降低载流子寿命、引起可靠性下降等。因此，精准识别和量化这些深能级缺陷成为半导体材料研究的核心任务。
DLTS：揭示宽禁带材料缺陷的核心技术
深能级瞬态谱（Deep-Level Transient Spectroscopy, DLTS）是研究半导体缺陷能级的关键技术。DLTS通过监测载流子俘获和发射过程中的电容、电流或光学响应随温度的变化，解析深能级缺陷的能级分布、俘获截面和浓度等参数。
LT-8000：DLTS分析的全新突破
索相科技LT-8000深能级瞬态谱仪，基于瑞士苏黎世仪器公司（Zurich Instruments）MFIA阻抗分析仪开发，集成多种缺陷分析技术，专为宽禁带半导体材料的缺陷研究而设计。其主要特点包括：
多种缺陷分析测试方法：DLTS、驱动电平电容分析（DLCP）、等温电容瞬变谱（ICTS）、热导纳光谱（TAS）等。
多种DLTS测试方式和数学分析模型：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS、L-DLTS、DLTFS等，满足不同研究需求。
先进的tDOS计算：通过TAS和DLCP测试可精准计算陷阱态密度（tDOS）。
多参数扫描功能：支持C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等测量，可自动计算内建电动势（Vbi）、净掺杂浓度（Ns）等关键参数。
宽温度范围测试：温度范围覆盖4K~800K，精度高达±100mK，可适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）。
智能化数据分析：标配Semi-Insight Studio软件，提供直观的用户界面，实现全自动化测试。
DLTS在SiC、GaN、Ga₂O₃缺陷研究中的应用案例
1. SiC器件中的碳空位（VC）和深能级陷阱
SiC材料中的碳空位（VC）是影响器件稳定性的关键缺陷。LT-8000可通过C-DLTS技术检测这些缺陷的能级分布和俘获截面，帮助优化SiC功率器件的外延生长工艺和制造流程。结合DLCP分析，LT-8000还能进一步表征SiC材料的净掺杂浓度及分布，提高器件设计的可靠性。
2. GaN中的黄带发光（YB）缺陷
GaN材料中常见的黄带发光（YB）现象由本征深能级缺陷引起，影响光电器件的发光效率。LT-8000支持I-DLTS技术，可精准区分载流子复合路径，揭示YB相关的深能级陷阱。结合TAS测试，还能分析光致载流子俘获和释放行为，为提高GaN LED和HEMT器件性能提供数据支撑。
3. Ga₂O₃的氧空位和电子俘获态
LT-8000不仅适用于高校和科研机构的基础研究，也广泛适用于半导体企业的质量控制和工艺优化。
实验室研究：提供高精度的缺陷分析，帮助科研人员深入理解宽禁带半导体材料的物理机制。
工业应用：支持快速缺陷筛查，提高SiC、GaN和Ga₂O₃器件的良率和可靠性，优化制造工艺。
自动化测试：Semi-Insight Studio软件支持批量样品测试，提高实验效率。
如果您对LT-8000感兴趣，欢迎联系我们，获取更多技术资料和应用案例！
