LT-8000 高分辨率深能级瞬态谱DLTS测试分析系统
-多种缺陷分析测试方法：深能级瞬态谱（DLTS）、驱动电平电容分析（DLCP）、等温电容瞬变谱（ICTS）和热导纳光谱（TAS）测试
-多种DLTS测试方式和数学分析模型：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS、L-DLTS、DLTFS等
-tDOS计算（TAS和DLCP测试）
-C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等参数扫描，自动计算内建电动势Vbi、净参杂浓度Ns等
-测试温度范围4K~800K，精度±100mK，适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）
-标配Semi-Insight Studio软件，界面直观，操作便捷，全自动化测试
-多种DLTS测试方式和数学分析模型：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS、L-DLTS、DLTFS等
-tDOS计算（TAS和DLCP测试）
-C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等参数扫描，自动计算内建电动势Vbi、净参杂浓度Ns等
-测试温度范围4K~800K，精度±100mK，适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）
-标配Semi-Insight Studio软件，界面直观，操作便捷，全自动化测试
应用
半导体材料研究、半导体器件优化、半导体激光器、半导体故障分析
钙钛矿太阳能电池、缺陷分析、界面层研究
基本参数规格
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脉冲发生器 |
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电压范围 |
±10V |
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电压分辨率 |
＜85μV |
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最大电流 |
±10mA |
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单脉冲宽度 |
1μs～60s |
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交流测试信号 |
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频率范围 |
1mHz～5MHz |
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频率分辨率 |
1μHz |
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电容测量 |
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电容测量范围 |
10fF～1F |
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电容测量分辨率 |
max(10fF, 0.05%) |
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滤波器时间常数 |
336ns～83s |
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电压测量 |
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电压测量范围 |
±1mV~±3V ，共 8 个量程档位可选 |
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电压测量最小分辨率 |
±15nV |
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输入阻抗 |
50Ω/10MΩ |
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电流测量 |
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电流测量范围 |
±1nA~±10mA，共 8 个量程档位可选 |
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电流测量最小分辨率 |
± 15fA |
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瞬态记录 |
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样品速率 |
1.17μs～12h |
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样品数据数量 |
1～8M |
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恒温器 |
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温度范围 |
78K～500K（标配），78K～800K（选件）， 4K～450K（选件） |
Semi-Insight Studio 软件功能
l 常规测量参数设置
l 用户测量参数可保存并调用
l 自动温度控制
l 在每个温度扫描中测试 C(T)参数
l 发射率窗自定义
l 自动分析 Arrhenius 曲线
l 傅里叶变换、拉普拉斯变换等更 高分辨率算法分析
l 集成光模块控制
l 集成 C-V 、I-V 、C-f、C-t 、I-t、 DLCP 等多种测试功能
可配选件
l TEMP-OPT 温度控制选件，详询 Marketing@lockinst.com
l DLTS-OPT DLTS测试选件，包含：
n I-DLTS选件
n D-DLTS选件
n O-DLTS选件
n PITS选件
n DLTFS选件
n L-DLTS选件
l Othtertest-OPT 其他测试功能选件，包含：
n DLCP测试选件
n TAS测试选件
n ICTS测试选件
