LT-8000 高分辨率深能级瞬态谱DLTS测试分析系统
- 多种缺陷测试分析方法：深能级瞬态谱（DLTS）、驱动电平电容分析（DLCP）、热导纳谱（TAS） 等
- 多种DLTS测试手段：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS等
- tDOS计算和离子迁移率计算
- C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等参数扫描
- 测试温度范围4K~800K，精度±100mK，适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）
- 标配Semi-Insight Studio软件，界面直观，操作便捷，全自动化测试
- 多种DLTS测试手段：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS等
- tDOS计算和离子迁移率计算
- C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等参数扫描
- 测试温度范围4K~800K，精度±100mK，适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）
- 标配Semi-Insight Studio软件，界面直观，操作便捷，全自动化测试
LT-8000 DLTS深能级瞬态谱仪的应用
半导体材料研究、半导体器件优化、半导体激光器、半导体故障分析
钙钛矿太阳能电池、缺陷分析、界面层研究
图1 DLTS测试曲线
图2 DLCP测试曲线
图3 I-V/C-V测试曲线
LT-8000 DLTS深能级瞬态谱仪基本参数规格
|
脉冲发生器 |
|
|
电压范围 |
±10V |
|
电压分辨率 |
＜85μV |
|
最大电流 |
±10mA |
|
单脉冲宽度 |
1μs～60s |
|
交流测试信号 |
|
|
频率范围 |
1mHz～5MHz |
|
频率分辨率 |
1μHz |
|
电容测量 |
|
|
电容测量范围 |
10fF～1F |
|
电容测量分辨率 |
max(10fF, 0.05%) |
|
滤波器时间常数 |
336ns～83s |
|
电压测量 |
|
|
电压测量范围 |
±1mV~±3V ，共8个量程档位可选 |
|
电压测量最小分辨率 |
±15nV |
|
输入阻抗 |
50Ω/10MΩ |
|
电流测量 |
|
|
电流测量范围 |
±1nA~±10mA，共8个量程档位可选 |
|
电流测量最小分辨率 |
±15fA |
|
瞬态记录 |
|
|
样品速率 |
1.17μs～12h |
|
样品数据数量 |
1～8M |
|
恒温器 |
|
|
温度范围 |
78K～500K（标配），78K～800K（选件），4K～450K（选件） |
LT-8000 DLTS深能级瞬态谱仪 Semi-Insight Studio 软件功能
l 常规测量参数设置
l 用户测量参数可保存并调用
l 自动温度控制
l 在每个温度扫描中测试C(T)参数
l 发射率窗自定义
l 自动分析Arrhenius曲线
l 集成光模块控制
l 集成C-V、I-V、C-f、C-t、I-t、DLCP、TAS等多种测试功能
l 集成tDOS和离子迁移率计算功能
LT-8000 DLTS深能级瞬态谱仪 可配选件
l OPT-IDLTS 电流型DLTS测试选件
l OPT-ODLTS 含光脉冲的DLTS测试选件
l OPT-DDLTS 双脉冲式DLTS测试选件
l OPT-DLCP 驱动电平电容分析（DLCP）选件
l OPT-TAS 热导纳谱（TAS）测试分析选件
l OPT-TEMP-XX 多种温度控制选件，详询索相科技销售部
