深能级瞬态谱检测（DLTS）
相关产品： MFIA,MFLI,MF-IA,MF-MD,HF2LI,HF2TA,HF2LI-MF
图1： 包含MFIA阻抗分析仪的DLTS测量设备。
应用说明
DLTS是一种强大的技术，常用于研究半导体中缺陷的浓度和载流子结合能。该技术涉及在不同温度下测量电容瞬变。首先，通过将半导体结反向偏置，大部分移动电荷载流子会被耗尽。随后，通过正电压脉冲将电压短暂置零，空陷阱被填充。在脉冲结束之后，半导体结会再次处于反向偏置偏置状态。此时电荷的移动就会引起瞬态电容的变化。
测量策略
您可以使用MFIA阻抗分析仪在长时间间隔内以高分辨率测量完整的电容瞬变过程。如图2所示，使用LabOne®的绘图仪模块，您可以轻松完成DLTS测量的设置。
MFIA可以在10 μs（1 MHz下）的时间尺度上测量从1 mHz到5 MHz（不仅在1 MHz）范围内的电容瞬变。 如图3所示，LabOne®的数据采集（DAQ）模块可以通过外部脉冲发生器或通过内部产生的偏置脉冲来触发。借助DAQ模块和数据缓冲区，您可以在高时间分辨率和长时间窗口（包括触发事件之前的稳定状态）下可靠地捕获整个瞬态。
MFIA包含的双通道锁定放大器可用于同时捕获电流瞬变和电容瞬变。与电容测量相比。与传统的电容测量相比，DLTS可以在更短的时间内测量电容的变化，但是无法精确测量电容的绝对值。
图2： LabOne绘图仪模块同时显示了三个瞬态参数的测量：施加的电压（蓝色曲线），产生的电容变化（红色曲线）以及其对应的电流变化（绿色曲线）。
图3： LabOne数据采集模块显示了瞬态电容测量在平均20次下的变化。图中的标记显示了10 μs内就能测到6 fF的电容差。
选择苏黎世仪器的优势
由于集成了数字化仪，更宽的电容测量范围和灵活的工作频率，MFIA得以完全超越已停产的Boonton 7200。此外，LabOne附带了许多工具，可帮助您监视和优化实验。
LabOne强大的API可以帮您轻松集成MFIA到复杂的实验设置和温度控制中。
8级电流输入可确保在施加反向偏置脉冲时仪器不会过载。
