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应用说明
高Q电容器的测量
图1：贴片电容器安装在4端子MFITF测量支架上的示意图。该支架可插入MFITF并连接到MFIA,。
在开发更快，更小的电子设备时，高性能的器件至关重要。一个典型的例子是电容器，通常要确保其极低的等效串联电阻（ESR）。此类电容器具有高品质因数Q或等效的低损耗或低耗散因子D。Q代表了电容器的效率，即每个周期内存储的能量与消耗的能量之比。Q也因此与ESR相关联，即Q = 1/（ωCRESR），其中ω为角频率，C为电容。
射频功率级，要求苛刻的滤波器应用以及旁路元件都需要高Q电容器。制造高Q电容器需要高温烧结，同时要精密控制介电层的厚度，陶瓷材料的介电常数和体积形状因数。该工艺过程具有可变性，因此即使具有相同零件号的电容器也可以表现出非常不同的Q值。因此，最佳的电路设计需要能够在器件的整个工作频率范围内实际测量其Q，D和ESR。
测量策略
电容器的Q因子可以通过包含谐振线，RF信号发生器和RF电压表的多仪器设置进行测量。但此方法不适用于低于100 MHz的频率，而且需要插值和后处理才能提取准确的值。矢量网络分析仪可以在1 MHz至3 GHz之间使用，但其精度较低，并且同样还需要进行后处理才能计算Q，D或ESR。
您可以MFIA阻抗分析仪一台仪器完成整个测量流程，而且无需校准即可直接获得Q，D和ESR。如图1所示，您可以将样品安装在测量支架并插入MFITF阻抗测试夹具中。此方法简单易用，并且在1 mHz至5 MHz的频率范围内具有很高的精度。通过扫频测量，可以测得Q随频率变化的曲线，且最高值超过105（图2）。
图2：LabOne参数扫描仪模块的屏幕截图，显示了八个不同贴片电容器的Q因子。不同器件测量曲线的颜色各不相同，具体请参见右侧的“History”面板。
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